Status ：In development
Polarity ：Single-N
Type ：SiC MOSFET
Package ：TO-247-3L
VDS [V] ：1200
ID [A] ：68
RDS(ON) [mΩ] Typ. ：35
RDS(ON) [mΩ] Max. ：48
VTH [V] Min. ：1.8
VTH [V] Typ. ：2.9
VTH [V] Max. ：3.6
Ciss [pF] ：2820
Coss [pF] ：108
Crss [pF] ：6.6
td(on) [nS] ：5
tr [nS] ：33.6
td(off) [nS] ：27.8
tf [nS] ：13
Qg [nC] ：103
Qgs [nC] ：22.6
Qgd [nC] ：31.2
EAS [mJ] ：
TRR [ns] ：31
PD [W] ：340
Built-in ESD ：No
TJ Max. ：175
Qualification ：Industrial
